Наукові публікації університету

Зміна дефектної наноструктури та релаксаційні процеси в SiO2 + Si, GeSi


ID: 104185
Кількість показів: 46
дата змінення: 14.10.2014 10:55:45
Ким змінено (ім'я): (admin) Адміністратор НДЧ
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  4
Рік видання:  2013
Звітний рік:  2013
Видання:  Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Фізико-математичні науки
Том:  1
Номери сторінок:  313.0000
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:  Онанко Анатолій Петрович
Кафедра / Відділ:  Фізики функціональних матеріалів
№ теми: 
Інститут/Факультет:  Фізичний факультет

Повернення до списку

Вгору