Наукові публікації університету

Особливості перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром Шотки

Експериментально досліджено прямі та зворотні вольтамперні характеристики структур Mo/n-Si з бар'єром Шотки в діапазоні температур 130 - 330 K. Виявлено, що у випадку підвищення температури має місце збільшення висоти бар'єра Шотки та зменшення фактора неідеальності. Проаналізовано одержані результати у межах моделі неоднорідного контакта. Визначено середнє значення та стандартне відхилення висоти бар'єра Шотки: 0,872 і 0,099 В за T = 130 - 220 K і 0,656 і 0,036 В за T = 230 - 330 K відповідно. Показано, що за зворотного зміщення основними процесами перенесення заряду є термоелектронна емісія через неоднорідний бар'єр та тунелювання.

ID: 104353
Кількість показів: 66
дата змінення: 11.10.2016 11:15:00
Ким змінено (ім'я): (phys16) Алла Горб
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  5
Рік видання:  2013
Звітний рік:  2013
Видання:  Український фізичний журнал
Том:  58
Номери сторінок:  126-134
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:  Оліх Олег Ярославович
Кількість недоданих авторів:  0
Кафедра / Відділ:  Загальної фізики / НДЛ Фізичне матеріалознавство твердого тіла
№ теми: 
Посилання на статтю (посилання на рецензію в журналі (для монографій):  http://www.nbuv.gov.ua/old_jrn/natural/Semt/2013_1/1_2013/1301-05.pdf
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Фізичний факультет

Повернення до списку

Вгору