Наукові публікації університету

Carrier confinement in Ge/Si quantum dots grown with an intermediate ultrathin oxide layer


ID: 128295
Кількість показів: 53
дата змінення: 09.12.2014 13:30:45
Ким змінено (ім'я): (admin) Адміністратор НДЧ
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  11
Рік видання:  2012
Звітний рік:  2012
Видання:  Physical Review B
Том:  85
Номери сторінок:  075406 (11 p.)
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:  Курилюк Василь Васильович / Коротченков Олег Олександрович / 
Кафедра / Відділ:  Загальної фізики / Фізики металів
№ теми: 
Посилання на статтю (посилання на рецензію в журналі (для монографій):  http://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.85.075406
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Фізичний факультет

Повернення до списку

Вгору