Наукові публікації університету

Electrophysical features of In2O3+(5%)SnO2/Si heterostructures based on Si substrates of different type


ID: 136314
Кількість показів: 77
дата змінення: 05.12.2014 14:45:32
Ким змінено (ім'я): (rff4) Галина Левада
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Тези
Кількість сторінок:  1
Рік видання:  2014
Звітний рік:  2014
Видання:  Nanotechnology and Nanomaterials (NANO): International research and practice conference
Том:  2
Номери сторінок:  354
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:  Лушкін Олександр Єгорович / Голобородько Наталія Сергіївна / Телега Володимир Миколайович
Кафедра / Відділ:  НДЛ Фізичної електроніки / Фізичної електроніки
№ теми: 
Ключові слова:  гетероструктури
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Факультет радіофізики, електроніки та комп'ютерних систем

Повернення до списку

Вгору