Наукові публікації університету

Reversible influence of ultrasound on γ-irradiated Mo/n-Si Schottky

The influence of ultrasonic loading on current–voltage characteristics has been investigated in Mo/n  -n+-Si structures irradiated by 60Co γ-rays. The longitudinal ultrasonic waves were of 9.6 MHz in frequency and had the intensity approaching 1.3 W/cm2. The observed reversible acoustically induced increase in forward and reverse currents was as large as 60%. The ultrasound has been found to affect thermionic emission mainly due to Schottky barrier height decrease. The observed effects are related to acoustically induced ionization of the defects located at the metal–semiconductor interface. It has also been found that in the result of γ-irradiation, the ultrasonic wave-defect interaction is modified. Ultrasonic loading, however, has been found to have no effect either on direct or phonon-assisted tunneling.

ID: 137157
Кількість показів: 69
дата змінення: 10.10.2016 12:03:57
Ким змінено (ім'я): (phys16) Алла Горб
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  6
Рік видання:  2015
Звітний рік:  2015
Видання:  Ultrasonics
Том:  56
Номери сторінок:  545-550
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:  Оліх Олег Ярославович
Кількість недоданих авторів:  0
Кафедра / Відділ:  Загальної фізики / НДЛ Фізичне матеріалознавство твердого тіла
№ теми: 
Посилання на статтю (посилання на рецензію в журналі (для монографій):  http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0041624X14002935
Ключові слова:  Dynamic ultrasonic influence; Schottky barrier; Gamma-ray effect; Silicon
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Фізичний факультет

Повернення до списку

Вгору