Наукові публікації університету

Features of heterostructure 95%In2O3+5%SnO2/ns-Si when exposed to light and when changing the surrounding gas environment


ID: 156082
Кількість показів: 61
дата змінення: 11.11.2015 17:41:10
Ким змінено (ім'я): (rff4) Галина Левада
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Праці конференції
Кількість сторінок:  2
Рік видання:  2015
Звітний рік:  2015
Видання:  Electronics and applied physics: International conference
Том:  11
Номери сторінок:  72-73
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:  Лушкін Олександр Єгорович / Телега Володимир Миколайович / Голобородько Наталія Сергіївна
Кількість недоданих авторів:  0
Кафедра / Відділ:  НДЛ Фізичної електроніки / Фізичної електроніки
№ теми: 
Ключові слова:  Features of heterostructure 95%In2O3+5%SnO2/ns-Si when exposed to light and when changing the surrounding gas environment
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Факультет радіофізики, електроніки та комп'ютерних систем

Повернення до списку

Вгору