Наукові публікації університету

Effect of por-SiC buffer layer on the parameters of thin Er2O3 layers on silicon carbide substrates


ID: 164071
Кількість показів: 51
дата змінення: 10.12.2015 17:30:00
Ким змінено (ім'я): (phys6) Віталій Косач
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Праці конференції
Кількість сторінок:  5
Рік видання:  2015
Звітний рік:  2015
Видання:  IOP Conference Series: Materials Science and Engineering
Том:  81
Номери сторінок:  1-5
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:   /  /  / Березовська Наталія Іванівна /  /  / 
Кількість недоданих авторів:  0
Кафедра / Відділ:  Експериментальної фізики
№ теми: 
Посилання на статтю (посилання на рецензію в журналі (для монографій):  http://iopscience.iop.org/1757-899X/81/1/012019/pdf/1757-899X_81_1_012019.pdf
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Фізичний факультет

Повернення до списку

Вгору