Наукові публікації університету

Hopping conduction in structures with Ge nanoclusters grown on oxidized Si (001)

Conductivity and capacitance in structures with Ge nanoclusters grown on oxidized Si (001) with different morphology have been investigated for the temperature range 120-290 K and frequencies 1 kHz-1MHz in co-planar geometry. It was found that structures exhibited T-1/3 conductivity dependence. The Mott’s variable range hopping through quasi-band of localized states at the Fermi level of Ge nanoclusters and their interfaces was found to be the dominant transport mechanism in the surface conductivity channel. The quasi-band width depends of surface morphology varying in the range 110-130 meV, while the middle of the band is located at Ev+140 meV. The peak of reduced conductivity and capacitance were observed under conditions when Fermi level is in the middle of this band.

ID: 167469
Кількість показів: 49
дата змінення: 14.09.2016 19:12:19
Ким змінено (ім'я): (phys12) Ірина Юргелевич
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  11
Рік видання:  2016
Звітний рік:  2016
Видання:  Journal of Nano Research
Том:  39
Номери сторінок:  178-188
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:   /  /  /  / Кондратенко Сергій Вікторович / Мельничук Євген Євгенович / 
Кафедра / Відділ:  Оптики
№ теми: 
Посилання на статтю (посилання на рецензію в журналі (для монографій):  http://www.scientific.net/JNanoR.39.178
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Фізичний факультет

Повернення до списку

Вгору