Наукові публікації університету

Intensity-dependent nonlinearity of the lateral photoconductivity in InGaAs/GaAs dot-chain structures

Photoelectric properties of laterally correlated multilayer InGaAs/GaAs quantum dots(QDs)heterostructures are studied. The response of the photocurrent to increasing excitation intensity is found to be nonlinear and varying with excitation energy. The structures are photosensitive in a wide range of photon energies above 0.6 eV. The spectral dependence of the photoconductivity (PC) is caused by strong interaction between the bulk GaAs and the lower energy states of the wetting layer, the QDs, as well as the defect states in the GaAs band gap. In particular, a mechanism for the participation of deep electron trap levels in the photocurrent is clarified. These structures also demonstrate a high sensitivity of up to 10 A/W at low excitation intensities. However, at higher excitation intensities, the sensitivity reduces exhibiting a strong spectral dependence at the same time. The observed sublinear PC dependence on excitation power results from a direct electron-hole recombination both in the QDs and in GaAs host. The solution of rate equations included the contributions of QD ground and exited states, bulk GaAs states and the states of defects within the GaAs bandgap describes well the experimental data.

ID: 167474
Кількість показів: 49
дата змінення: 14.09.2016 19:39:24
Ким змінено (ім'я): (phys12) Ірина Юргелевич
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  10
Рік видання:  2016
Звітний рік:  2016
Видання:  Journal of Applied Physics
Том:  119
Випуск, частина:  18
Номери сторінок:  184303-1843312
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:  Кондратенко Сергій Вікторович / Даценко Олександр Іванович /  /  /  /  /  /  / 
Кафедра / Відділ:  Оптики
№ теми: 
Посилання на статтю (посилання на рецензію в журналі (для монографій):  http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/119/18/10.1063/1.4948953
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Фізичний факультет

Повернення до списку

Вгору