Наукові публікації університету

Local trapping and recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoclusters

To investigate the recombination processes, we study the spectral and time dependences of lateral photoconductivity of Si/Ge heterostructures with SiGe nanoclusters, obtained by molecular beam epitaxy. Photoconductivity at low temperatures, in the spectral region where Si is transparent, is conditioned by transitions involving localized states of SiGe nanoclusters. When the temperature decreases the most significant decrease in the photoconductivity is due to fundamental absorption in nanoclusters. This shows the high efficiency of electron–hole recombination centers in SiGe nanoclusters.

ID: 167506
Кількість показів: 46
дата змінення: 14.09.2016 21:34:59
Ким змінено (ім'я): (phys12) Ірина Юргелевич
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  5
Рік видання:  2016
Звітний рік:  2016
Видання:  JJAP Conference Proceedings
Том:  4
Номери сторінок:  011113-011117
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:  Кондратенко Сергій Вікторович / 
Кафедра / Відділ:  Оптики
№ теми: 
Посилання на статтю (посилання на рецензію в журналі (для монографій):  https://journals.jsap.jp/jjapproceedings/online/4-011113
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Фізичний факультет

Повернення до списку

Вгору