Наукові публікації університету

Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures

Thermally stimulated conductivity of the InGaAs-GaAs heterostructures with quantum wires was studied using different quantum energies of exciting illumination. The structures reveal long-term photoconductivity decay within the temperature range 100 to 200 K, and effect of residual conductivity after turning-off the illumination. Analyzing the data of thermally stimulated conductivity, the following energies of electron traps were found: 90, 140, and 317 meV. The role of deep traps in recombi-nation process as well as the photoconductivity mechanism was discussed.

ID: 167645
Кількість показів: 48
дата змінення: 15.09.2016 12:12:16
Ким змінено (ім'я): (phys12) Ірина Юргелевич
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  4
Рік видання:  2016
Звітний рік:  2016
Видання:  Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics
Том:  19
Випуск, частина:  1
Номери сторінок:  075-078
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:   / Кондратенко Сергій Вікторович /  /  /  / 
Кафедра / Відділ:  Оптики
№ теми: 
Посилання на статтю (посилання на рецензію в журналі (для монографій):  http://journal-spqeo.org.ua/n1_2016/P075-078abstr.html
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Фізичний факультет

Повернення до списку

Вгору