Наукові публікації університету

Hopping conduction and LF noise in structures with Ge nanoclusters grown on oxidized Si(001)

Conductivity, capacitance, and the low-frequency noise in structures with Ge nanoclusters grown on oxidized Si(001) have been investigated for the temperature range of 120–290 K and frequencies from 1 kHz to 1 MHz in co-planar geometry. The Mott’s variable range hopping through quasi-band of localized states at the Fermi level of nanoclusters and their interfaces was found to be the dominant transport mechanism in the surface conductivity channel. The quasi-band width was found to be about 110 meV, while the middle is located at Ev + 140 meV. The maximum of reduced conductivity and capacitance were observed under conditions when Fermi level is in the middle of this band. A significant increase of the 1/f noise level with decreasing temperature found for the structures studied was ascribed to accompany hopping transport of charge carriers within the quasi-band with a high density of localized states.

ID: 167655
Кількість показів: 85
дата змінення: 15.09.2016 12:29:22
Ким змінено (ім'я): (phys12) Ірина Юргелевич
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  13
Рік видання:  2016
Звітний рік:  2016
Видання:  Journal of Materials Science
Том:  51
Випуск, частина:  19
Номери сторінок:  8799-8811
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:   /  /  /  / Кондратенко Сергій Вікторович / Мельничук Євген Євгенович / 
Кафедра / Відділ:  Оптики
№ теми: 
Посилання на статтю (посилання на рецензію в журналі (для монографій):  https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-84976328242&origin=resultslist&sort=plf-f&src=s&sid=78C817A0BC997DE9D292E3A3B11C6589.zQKnzAySRvJOZYcdfIziQ%3a140&sot=autdocs&sdt=autdocs&sl=18&s=AU-ID%2814019747400%29&relpos=1&citeCnt=0&searchTerm=
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Фізичний факультет

Повернення до списку

Вгору