Наукові публікації університету

Optical and electrophysical properties of ITO/Si and ITO/ns-Si heterostructures

The optical and electrical properties of 95%In2O3+5%SnO2/ns-Si and 95%In2O3+5%SnO2/Si heterostructures with films thickness of 6 and 12 nm were investigated. It was shown that texturing of the substrate increases the light absorption of heterostructure with ITO film with thickness of 6 nm. Besides, the current-voltage characteristic of this structure is significantly increasing. At the same time, current-voltage characteristic of the heterostructure with ITO film with thickness 12 nm is quantitatively irrespective of the substrate type.

ID: 167716
Кількість показів: 65
дата змінення: 19.09.2016 15:06:39
Ким змінено (ім'я): (chem6) Олена Ліціс
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  3
Рік видання:  2016
Звітний рік:  2016
Видання:  International Conference on Advanced Optoelectronics and Lasers, CAOL
Том:  7
Випуск, частина:  2016
Номери сторінок:  1-3
Галузь науки:  Міждисциплінарні науки
Автори,співробітники Університету:  Голобородько Наталія Сергіївна / Бученко Віктор Володимирович / Лушкін Олександр Єгорович / Телега Володимир Миколайович
Кафедра / Відділ:  ННЛ "Технологій та досліджень матеріалів і структур" / Нанофізики та наноелектроніки / НДЛ Фізичної електроніки / Фізичної електроніки
№ теми:   / 
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Факультет радіофізики, електроніки та комп'ютерних систем / Інститут високих технологій

Повернення до списку

Вгору