Наукові публікації університету

Raman Scattering in the Process of Tin-Induced Crystallization of Amorphous Silicon

Metal-induced crystallization in Si-Sn-Si thin film structures has been studied, by using the Raman scattering at various light powers. The Raman spectra are used to monitor the temperature, size, and concentration of Si crystals formed in the amorphous Si matrix. A significant acceleration of the metal-induced crystallization in Si-Sn-Si structures at their laser-assisted annealing in comparison with their annealing in dark is revealed. A basic possibility of the “on line” monitoring of the size and the concentration of Si nanocrystals in the course of their formation is demonstrated

ID: 169986
Кількість показів: 50
дата змінення: 04.10.2016 18:44:17
Ким змінено (ім'я): (phys16) Алла Горб
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  7
Рік видання:  2016
Звітний рік:  2016
Видання:  Ukrainian Journal of Physics (Український фізичний журнал)
Том:  61
Випуск, частина:  2
Номери сторінок:  143-149
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:  Ісаєв Микола Вікторович / Кузьмич Андрій Григорович /  /  /  /  / 
Кількість недоданих авторів:  0
Кафедра / Відділ:  Загальної фізики / НДЛ Фізичне матеріалознавство твердого тіла
№ теми: 
Посилання на статтю (посилання на рецензію в журналі (для монографій):  https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84975774396&partnerID=40&md5=b323ee374fdca1a87bb01f270fe26a2e
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Фізичний факультет

Повернення до списку

Вгору