Наукові публікації університету

Ultrasonically Recovered Performance of gama-Irradiated Metal-Silicon Structures

Abstract:
The MHz-frequency ultrasound treatment is shown to offer a recovery tool in the current-voltage (I-V ) characteristics of the γ-irradiated metal-silicon structures. Experimental observations of the ultrasound treatment effect on the carrier transport and photocurrent transient parameters are highlighted. It is shown that up to 30% of the Schottky diode currents and free carrier lifetimes worsen by the irradiation could be recovered in the stress field of ultrasound. The likely scenario behind the treatment effect is outlined, implying the involvement of the vacancies released from the E-centers and subsequently trapped at the Si- SiO2 interface. It is shown that the technique enables near-room temperature modification of electronic properties of metal-semiconductor Schottky diodes and metal-oxide-semiconductor devices. The density of the electrically active bulk and interface traps can be controllably tuned using this technique. Potential relevance of the processing approach in the context of applications in electronics and detector technologies is pointed out.

ID: 170850
Кількість показів: 40
дата змінення: 14.11.2016 22:28:33
Ким змінено (ім'я): (phys16) Алла Горб
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  8
Рік видання:  2010
Звітний рік:  2010
Видання:  IEEE Transactions on Nuclear Science
Том:  57
Випуск, частина:  3
Номери сторінок:  1632-1639
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:  Горб Алла Миколаївна / Коротченков Олег Олександрович / Оліх Олег Ярославович / Подолян Артем Олександрович
Кількість недоданих авторів:  0
Кафедра / Відділ:  Загальної фізики / НДЛ Фізичне матеріалознавство твердого тіла
№ теми: 
Посилання на статтю (посилання на рецензію в журналі (для монографій):  http://ieeexplore.ieee.org/document/5485190/
Ключові слова:  ultrasound, Defects, lifetime, radiation, silicon
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Фізичний факультет

Повернення до списку

Вгору