Наукові публікації університету

Фотоелектричні властивості структури InGaAs з квантовими точками та паяними індієвими контактами


ID: 173689
Кількість показів: 32
дата змінення: 24.10.2016 13:53:23
Ким змінено (ім'я): (phys12) Ірина Юргелевич
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Тези
Кількість сторінок:  2
Рік видання:  2016
Звітний рік:  2016
Видання:  Напівпровідникові матеріали, інформаційні технології та фотовольтаїка: Міжнародна науково-практична конференціяії
Том:  0
Номери сторінок:  205-206
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:   / Даценко Олександр Іванович / Поперенко Леонід Володимирович / Кондратенко Сергій Вікторович /  /  /  /  / 
Кафедра / Відділ:  Оптики
№ теми: 
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Фізичний факультет

Повернення до списку

Вгору