Наукові публікації університету

A Q-band low noise GaAs pHEMT MMIC power amplifier for pulse electron spin resonance spectrometer

We present the design and development of a single stage pulse power amplifier working in the frequency
range 32–38 GHz based on a monolithic microwave integrated circuit (MMIC). We have
designed the MMIC power amplifier by using the commercially available packaged GaAs pseudomorphic
high electron mobility transistor. The circuit fabrication and assembly process includes the
elaboration of the matching networks for the MMIC power amplifier and their assembling as well as
the topology outline and fabrication of the printed circuit board of the waveguide-microstrip line transitions.
At room ambient temperature, the measured peak output power from the prototype amplifier
is 35.5 dBm for 16.6 dBm input driving power, corresponding to 19 dB gain. The measured rise/fall
time of the output microwave signal modulated by a high-speed PIN diode was obtained as 5–6 ns at
20–250 ns pulse width with 100 kHz pulse repetition rate frequency

ID: 187500
Кількість показів: 145
дата змінення: 22.05.2017 12:31:18
Ким змінено (ім'я): (rff10) Олена Оберемок
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  5
Рік видання:  2017
Звітний рік:  2017
Видання:  Review of Scientific Instruments
Том:  88
Номери сторінок:  054702-1-054702-5
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:  Олійник Віктор Валентинович
Автори зовнішні:  Калабухова Катерина Миколаївна / Ситніков О. М. / Колісніченко Михайло Васильович
Кафедра / Відділ:  Квантової радіофізики / НДЛ Квантової радіофізики
№ теми: 
Посилання на статтю (посилання на рецензію в журналі (для монографій):  http://aip.scitation.org/doi/pdf/10.1063/1.4983574
Ключові слова:  Q-band low, power, spin resonance
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Факультет радіофізики, електроніки та комп'ютерних систем

Повернення до списку

Вгору