Наукові публікації університету



Voltage fluctuations caused by feeding single powerful pulses in silicon structures with dielectric isolation

The silicon structures with dielectric insulation are having voltage fluctuations under single powerful current
pulses. It is shown that the heating of the structure reaches such values that there is a negative differential
conductivity in the overheating mechanism, which leads to the occurrence of voltage fluctuations.

ID: 195536
Кількість показів: 29
дата змінення: 22.11.2017 15:46:14
Ким змінено (ім'я): (rff4) Галина Левада
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Праці конференції
Кількість сторінок:  2
Рік видання:  2017
Звітний рік:  2017
Видання:  International Conference Electronics and Applied Physics
Том:  13
Номери сторінок:  123-124
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:  Павлюк Сергій Павлович / Григорук Валерій Іванович / Іщук Лариса Вадимівна / Телега Володимир Миколайович / Ковток Віктор Григорович
Автори,студенти та аспіранти Університету:  Вакуляк Єгор Олександрович
Кафедра / Відділ:  Електрофізики / Квантової радіофізики / НДЛ Фізичної електроніки
№ теми:  16БФ052-01 / 16БФ052-04
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Факультет радіофізики, електроніки та комп'ютерних систем

Повернення до списку

Вгору