Наукові публікації університету

Deep levels in metamorphic InAs/InGaAs quantum dot structures with different composition of the embedding layers


ID: 198095
Кількість показів: 25
дата змінення: 08.11.2017 13:57:51
Ким змінено (ім'я): (phys12) Ірина Юргелевич
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  7
Рік видання:  2017
Звітний рік:  2017
Видання:  Semiconductor Science and Technology
Том:  32
Випуск, частина:  12
Номери сторінок:  125001-125007
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:  Даценко Олександр Іванович
Автори зовнішні:  Головинський Сергій Леонідович / Seravali L. / Trevisi G. / Frigeri P. / Babichuk I. S.  / Головинська Юлія / Qu J.
Автори,студенти та аспіранти Університету:  Козак Олексій Олександрович
Кафедра / Відділ:  Оптики
№ теми: 
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Фізичний факультет

Повернення до списку

Вгору