Наукові публікації університету

Construction of High Conductivity in Si by PBW Technology


ID: 203955
Кількість показів: 41
дата змінення: 28.11.2018 19:29:30
Ким змінено (ім'я): (ivt1) Наталя Русінчук
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  4
Рік видання:  2017
Звітний рік:  2017
Видання:  International Young Scientists Forum on Applied Physics
Том:  2017
Номери сторінок:  NM10: 1-4
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:  Васильєв Тарас Анатолійович / Васильєв Анатолій Георгійович / Козонущенко Олександр Іванович / Кухаренко Олег Геннадійович
Автори зовнішні:  Tolmachov M.
Кафедра / Відділ:  Кафедра теоретичних основ високих технологій
№ теми: 
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Інститут високих технологій

Повернення до списку

Вгору