Наукові публікації університету

Role of Laser Power, Wavelength, and Pulse Duration in Laser Assisted Tin-Induced Crystallization of Amorphous Silicon

This work describes tin-induced crystallization of amorphous silicon studied with Raman spectroscopy in thin-film structures Si-Sn-Si irradiated with pulsed laser light. We have found and analyzed dependencies of the nanocrystals’ size and concentration on the laser pulse intensity for 10 ns and 150 μm duration laser pulses at the wavelengths of 535 nm and 1070 nm. Efficient transformation of the amorphous silicon into a crystalline phase during the 10 ns time interval of the acting laser pulse in the 200 nm thickness films of the amorphous silicon was demonstrated. The results were analyzed theoretically by modeling the spatial and temporal distribution of temperature in the amorphous silicon sample within the laser spot location. Simulations confirmed importance of light absorption depth (irradiation wavelength) in formation and evolution of the temperature profile that affects the crystallization processes in irradiated structures.

ID: 208907
Кількість показів: 25
дата змінення: 22.06.2018 14:43:34
Ким змінено (ім'я): (pavel.lishchuk) Павло Ліщук
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  11
Рік видання:  2018
Звітний рік:  2018
Видання:  Journal of Nanomaterials
Том:  2018
Випуск, частина:  1243685
Номери сторінок:  1-11
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:  Ісаєв Микола Вікторович / Кузьмич Андрій Григорович
Автори зовнішні:  Неймаш Володимир Борисович / Гуща А. О. / Федоренко Леонід Леонідович / Шепелявий Петро Євгенович /  Стрільчук В.В. / Ніколенко Андрій Сергійович
Кафедра / Відділ:  Загальної фізики
№ теми:  18БФ051-01М
Посилання на статтю (посилання на рецензію в журналі (для монографій):  https://www.hindawi.com/journals/jnm/2018/1243685/abs/
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Фізичний факультет

Повернення до списку

Вгору