Наукові публікації університету

Ethanol gas sensing performance of electrochemically anodized freestanding porous SiC

The thick layers of freestanding porous silicon carbide (PSiC) were synthesized by electrochemical etching of polycrystalline silicon carbide (3C-SiC) substrates. The obtained layers exhibit homogenous nanostructured morphology with average pore diameter of 9–14 nm, the surface area of 87 m2/g and the pore volume of 0.30 cm3/g. The visible photoluminescence peaks with maxima at 2.00; 2.71; 3.25 eV are related to defect surface centers and nanocrystals introduced by HF reaction with SiC. Raman's observations confirm that the PSiC structure maintains its crystallinity after dissolution process. The applicability of electrochemically formed freestanding PSiC for gas sensing was verified by impedance spectroscopy. The hodographs of total impedance and influence of ethanol adsorption/desorption on their shape were examined. The behavior of complex resistivity at adsorption/desorption of ethanol is interpreted in terms of the electronic states recharge on SiC surface.

ID: 219883
Кількість показів: 36
дата змінення: 04.04.2019 08:29:02
Ким змінено (ім'я): (chem12) Анна Трохименко
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  6
Рік видання:  2019
Звітний рік:  2018
Видання:  Diamond and Related Materials
Том:  91
Номери сторінок:  84-89
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:  Гринь Світлана Валеріївна / Мілованов Юрій Сергійович / Скришевський Валерій Антонович / Гаврильченко Ірина Валеріївна / Алексєєв Сергій Олександрович / Костюкевич Олександр Миколайович
Кафедра / Відділ:  Кафедра нанофізики конденсованих середовищ / Кафедра супрамолекулярної хімії  / НДЛ Фізичної електроніки / Аналітичної хімії / НДЛ Хімічного аналізу об'єктів навколишнього середовища та контролю виробництва
№ теми:   /  / 18БП037-01
Посилання на статтю (посилання на рецензію в журналі (для монографій):  https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S092596351830582X
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Факультет радіофізики, електроніки та комп'ютерних систем / Хімічний факультет / Інститут високих технологій

Повернення до списку

Вгору