Наукові публікації університету

The Resistivity of Thin Layer Formed in Si by Proton Beam Irradiation


ID: 219955
Кількість показів: 55
дата змінення: 14.11.2018 00:00:31
Ким змінено (ім'я): (ivt1) Наталя Русінчук
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  6
Рік видання:  2018
Звітний рік:  2018
Видання:  The International Conference on Information and Telecommunication Technologies and Radio Electronics (UkrMiCo)
Том:  2018
Номери сторінок:  56-61
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:  Васильєв Тарас Анатолійович / Козонущенко Олександр Іванович / Васильєв Анатолій Георгійович
Кафедра / Відділ:  Кафедра теоретичних основ високих технологій
№ теми: 
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Інститут високих технологій

Повернення до списку

Вгору