Наукові публікації університету

Acoustically driven degradation in single crystalline silicon solar cell

The influence of ultrasound on current–voltage characteristics of crystalline silicon solar sell was investigated experimentally. The transverse and longitudinal acoustic waves were used over a temperature range of 290–340 K. It was found that the ultrasound loading leads to the reversible decrease in the photogenerated current, open–circuit voltage, fill factor, carrier lifetime, and shunt resistance as well as the increase in the ideality factor. The experimental results were described by using the models of coupled defect level recombination, Shockley–Read–Hall recombination, and dislocation–induced impedance. The contribution of the boron-oxygen related defects, iron-–boron pairs, and oxide precipitates to both the carrier recombination and acousto–defect interaction was discussed. The experimentally observed phenomena are associated with the increase in the distance between coupled defects as well as the extension of the carrier capture coefficient of complex point defects and dislocations

ID: 219960
Кількість показів: 75
дата змінення: 14.11.2018 00:02:41
Ким змінено (ім'я): (phys16) Алла Горб
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  16
Рік видання:  2018
Звітний рік:  2018
Видання:  Superlattices and Microstructures
Том:  117
Номери сторінок:  173-188
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:  Оліх Олег Ярославович
Кількість недоданих авторів:  0
Кафедра / Відділ:  Загальної фізики / НДЛ Фізичне матеріалознавство твердого тіла
№ теми: 
Посилання на статтю (посилання на рецензію в журналі (для монографій):  https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0749603618301034
Ключові слова:  Silicon,Solar cells, Ultrasound influence
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Фізичний факультет

Повернення до списку

Вгору