Наукові публікації університету

Clusters of point defects near dislocations as a tool to control CdZnTe electrical parameters by ultrasound

We studied the temperature dependence (77–300 K) of the electron concentration and mobility using the Hall method under ultrasound (the acoustic Hall method) to determine the mechanisms by which ultrasound influences the electrical activity of near-dislocation clusters in n-type low-ohmic Cd1−xZnxTe single crystals (NCl ≈ 1024 m−3; x = 0; 0.04) with different dislocation density (0.4–5.1) × 1010 m−2. Changes in electrophysical parameters were found to occur as a function of temperature and ultrasound intensity. To evaluate the relative contribution of different charge carrier scattering mechanisms (lattice scattering, ionized impurity scattering, neutral impurity scattering, and dislocation scattering) and their change under ultrasound, a differential evolution method was used. This method made it possible to analyze experimental mobility μH(T) by its nonlinear approximation with characteristic temperature dependence for each mechanism. An increase in neutral impurity scattering and a decrease in ionized impurity and dislocation scattering components were observed under ultrasound. The character and the amount of these acoustically induced changes correlate with particular sample dislocation characteristics. It was concluded that the observed effects are related to the acoustically induced transformation of the point-defect structure, mainly in the near dislocation crystal regions

ID: 219974
Кількість показів: 33
дата змінення: 14.11.2018 00:24:54
Ким змінено (ім'я): (phys16) Алла Горб
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  9
Рік видання:  2018
Звітний рік:  2018
Видання:  Journal of Electronic Materials
Том:  47
Випуск, частина:  8
Номери сторінок:  4370-4378
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:  Оліх Олег Ярославович
Автори зовнішні:  Оліх Ярослав Михайлович / Тимочко М.Д. / Шендеровський В.А.
Кількість недоданих авторів:  0
Кафедра / Відділ:  Загальної фізики / НДЛ Фізичне матеріалознавство твердого тіла
№ теми: 
Посилання на статтю (посилання на рецензію в журналі (для монографій):  https://link.springer.com/article/10.1007/s11664-018-6332-4
Ключові слова:  CdZnTe crystals, ultrasound, dislocation clusters, Hall effect
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Фізичний факультет

Повернення до списку

Вгору