Наукові публікації університету

Спосіб виготовлення прихованих високо провідних областей в мікроелектронних структурах


ID: 220620
Кількість показів: 12
дата змінення: 14.11.2018 21:03:36
Ким змінено (ім'я): (ivt1) Наталя Русінчук
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Авторські свідоцтва
Рік видання:  2018
Звітний рік:  2018
Видання:  Патент
Номери сторінок:  189287
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:  Лисоченко Сергій Васильович / Кухаренко Олег Геннадійович / Жарких Юрій Серафимович / Третяк Олег Васильович
Автори зовнішні:  Толмачов М. Г.
Кафедра / Відділ:  Кафедра теоретичних основ високих технологій
№ теми: 
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Інститут високих технологій

Повернення до списку

Вгору