Наукові публікації університету

Спосіб виготовлення прихованих високопровідних областей в мікроелектронних структурах


ID: 224744
Кількість показів: 7
дата змінення: 27.02.2019 15:12:35
Ким змінено (ім'я): (ivt1) Наталя Русінчук
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Авторські свідоцтва
Кількість сторінок:  1
Рік видання:  2019
Звітний рік:  2018
Видання:  Патент
Том:  2019
Номери сторінок:  UA118618
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:  Жарких Юрій Серафимович / Лисоченко Сергій Васильович / Кухаренко Олег Геннадійович / Третяк Олег Васильович
Автори зовнішні:  Толмачов М. Г.
Кафедра / Відділ:  Кафедра теоретичних основ високих технологій
№ теми: 
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Інститут високих технологій

Повернення до списку

Вгору