Наукові публікації університету

Фізика нанотранзисторів: теорія MOSFET в традиційному викладі, основи моделі віртуального витоку й наближення виснаження


ID: 233964
Кількість показів: 28
дата змінення: 09.10.2019 14:12:08
Ким змінено (ім'я): (rff4) Галина Левада
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  34
Рік видання:  2019
Звітний рік:  2019
Видання:  Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Том:  16
Випуск, частина:  1
Номери сторінок:  7-40
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:  Стріха Максим Віталійович
Кількість недоданих авторів:  1
Кафедра / Відділ:  Фізичної електроніки
Ключові слова:  сенсорна електроніка
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Факультет радіофізики, електроніки та комп'ютерних систем

Повернення до списку

Вгору