Наукові публікації університету

Фізика нанотранзисторів: поверхневий потенціал, напруга на затворі та рухливий електричний заряд у масивній структурі MOS та в тонкій SOI


ID: 233966
Кількість показів: 33
дата змінення: 09.10.2019 14:14:38
Ким змінено (ім'я): (rff4) Галина Левада
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  27
Рік видання:  2019
Звітний рік:  2019
Видання:  Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Том:  16
Випуск, частина:  2
Номери сторінок:  5-31
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:  Стріха Максим Віталійович
Кількість недоданих авторів:  1
Кафедра / Відділ:  Фізичної електроніки
Ключові слова:  сенсорна електроніка
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Факультет радіофізики, електроніки та комп'ютерних систем

Повернення до списку

Вгору