Наукові публікації університету

Relationship between the ideality factor and the iron concentration in silicon solar cells

The ideality factor value of silicon  solar cells with iron contaminants has been studied by means of computer simulation. The iron concentration range of  cm−3, base doping level range of  cm−3, and temperature range of  K were used in the investigation. The Solar Cells Capacitance Simulator (SCAPS) was the tool used for numerical simulation of these devices. The two-diode model was used to extract the ideality factor. The following cases were considered: (i) Shockley–Read–Hall (SRH) recombination; (ii) both intrinsic recombination and SRH recombination; (iii) unpaired interstitial iron atoms; (iv) both iron–boron pairs and interstitial iron atoms. The algorithms of iron concentration evaluation in silicon solar cell by using current–voltage curve are proposed. The analytic expressions are suggested as well as calibration curves are calculated.

ID: 234823
Кількість показів: 32
дата змінення: 12.11.2019 13:37:17
Ким змінено (ім'я): (phys16) Алла Горб
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  10
Рік видання:  2019
Звітний рік:  2019
Видання:  Superlattices and Microstructures
Том:  136
Номери сторінок:  106309
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:  Оліх Олег Ярославович
Кількість недоданих авторів:  0
Кафедра / Відділ:  Загальної фізики / НДЛ Фізичне матеріалознавство твердого тіла
№ теми:  19БФ051-05
Посилання на статтю (посилання на рецензію в журналі (для монографій):  https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0749603619316180
Ключові слова:  Silicon solar cell, SCAPS simulator, Ideality factor, Iron concentration
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Фізичний факультет

Повернення до списку

Вгору