Наукові публікації університету

Influence of gamma-irradiation and ultrasound treatment on current mechanism in Au-SiO2-Si structure

The effect of 60Co gamma-irradiation ( rad) and ultrasound treatment (4 MHz, 2 W/cm2, up to 60 min) on current-voltage characteristics is experimentally investigated in an Au-SiO2-Si structure. The change in the current mechanism is analysed in terms of a modifying defect system. The irradiation is shown to enhance the space charge limited current and trap-assisted tunneling current. Experimental observations of the acoustically induced low temperature annealing of the Pb and E′  centers, which causes the partial recovery of irradiated silicon MOS structure characteristics, are highlighted.

ID: 241893
Кількість показів: 33
дата змінення: 13.01.2020 16:39:13
Ким змінено (ім'я): (phys16) Алла Горб
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  6
Рік видання:  2020
Звітний рік:  2020
Видання:  Solid-State Electronics
Том:  165
Номери сторінок:  107712
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:  Горб Алла Миколаївна / Коротченков Олег Олександрович / Оліх Олег Ярославович / Чуприна Роман Григорович / Подолян Артем Олександрович
Кількість недоданих авторів:  0
Кафедра / Відділ:  Загальної фізики / НДЛ Фізичне матеріалознавство твердого тіла
№ теми:  19БФ051-05
Посилання на статтю (посилання на рецензію в журналі (для монографій):  https://doi.org/10.1016/j.sse.2019.107712
Ключові слова:  MOS structures, Si-SiO2 interface, Ultrasound treatment, gamma-rays
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Фізичний факультет

Повернення до списку

Вгору