Наукові публікації університету

The dynamic ultrasound influence on the diffusion and drift of the charge carriers in silicon p-n structures


ID: 48124
Кількість показів: 64
дата змінення: 14.10.2014 09:46:20
Ким змінено (ім'я): (admin) Адміністратор НДЧ
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Праці конференції
Кількість сторінок:  1
Рік видання:  2007
Звітний рік:  2007
Видання:  Semiconductor Defect Engineering Materials. Synthetic. Structures and Devices II. Edited by S.Ashok, P.Kiesel, J.Chevallier, T.Ogino
Номери сторінок:  88.0000
Автори,співробітники Університету:  Оліх Олег Ярославович / Бурбело Мирослав-Роман Михайлович
Кафедра / Відділ:  Загальної фізики
Інститут/Факультет:  Фізичний факультет

Повернення до списку

Вгору