Наукові публікації університету

Релаксаційні процеси в опромінених Si і SiO2.


ID: 49369
Кількість показів: 67
дата змінення: 14.10.2014 09:47:59
Ким змінено (ім'я): (admin) Адміністратор НДЧ
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Тези
Кількість сторінок:  1
Рік видання:  2007
Звітний рік:  2007
Номери сторінок:  419.0000
Автори,співробітники Університету:  Онанко Анатолій Петрович / 
Кафедра / Відділ:  Фізики функціональних матеріалів
Інститут/Факультет:  Фізичний факультет

Повернення до списку

Вгору