Наукові публікації університету

Окислення чистої поверхні Si(001) та поверхні Si(001) з субмоношаровою плівкою Ge


ID: 51599
Кількість показів: 55
дата змінення: 14.10.2014 09:50:41
Ким змінено (ім'я): (admin) Адміністратор НДЧ
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Тези
Кількість сторінок:  1
Рік видання:  2007
Звітний рік:  2007
Номери сторінок:  496.0000
Автори,співробітники Університету:  Афанас'єва Тетяна Вікторівна /  /  / Находкін Микола Григорович
Кафедра / Відділ:  Кріогенної та мікроелектроніки
Інститут/Факультет:  Факультет радіофізики, електроніки та комп'ютерних систем

Повернення до списку

Вгору