Наукові публікації університету

Изменение активности рекомбинационных центров в кремниевых p-n-структурах в условиях акустического нагружения

Используя метод дифференциальных коэффициентов вольт-амперных характеристик, исследованы глубокие уровни в Cz-Si p-n-структурах в условиях ультразвукового нагружения (продольные волны частотой 4-26 МГц и интенсивностью до 0.6 Вт/см2). Выявлены уровни с термической энергией активации 0.44, 0.40, 0.37, 0.48 и 0.46 эВ. Предполагается, что эти уровни связаны с E-центром, бистабильным комплексом BSO2i, а также межузельными атомами, захваченными дислокационными петлями, соответственно. Установлено, что ультразвук индуцирует увеличение вклада в рекомбинационные процессы более мелких уровней и уменьшение энергии активации дефектов. Проанализирована возможность акустоиндуцированной обратимой перестройки конфигурации комплекса BSO2i.

ID: 64649
Кількість показів: 47
дата змінення: 11.10.2016 10:57:16
Ким змінено (ім'я): (phys16) Алла Горб
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  6
Рік видання:  2009
Звітний рік:  2009
Видання:  Физика и техника полупроводников
Том:  43
Номери сторінок:  774-779
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:  Оліх Олег Ярославович
Кількість недоданих авторів:  0
Кафедра / Відділ:  Загальної фізики / НДЛ Фізичне матеріалознавство твердого тіла
№ теми: 
Посилання на статтю (посилання на рецензію в журналі (для монографій):  http://journals.ioffe.ru/articles/6866
Опубліковано за рішенням Вченої ради:  ні
Інститут/Факультет:  Фізичний факультет

Повернення до списку

Вгору