Наукові публікації університету

Глибокі рівні прилипання у In0.4Ga0.6As/GaAs гетероструктурах з квантовими точками.


ID: 77335
Кількість показів: 70
дата змінення: 14.10.2014 10:22:03
Ким змінено (ім'я): (admin) Адміністратор НДЧ
Вид роботи:  Науково-популярна публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  11
Рік видання:  2011
Звітний рік:  2011
Видання:  Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Том:  9
Номери сторінок:  343.0000
Автори,співробітники Університету:  Вакуленко Олег Васильович /  / Кондратенко Сергій Вікторович
Кафедра / Відділ:  Теоретичної фізики
№ теми: 
Інститут/Факультет:  Фізичний факультет

Повернення до списку

Вгору