Наукові публікації університету

Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками


ID: 78597
Кількість показів: 62
дата змінення: 14.10.2014 10:23:31
Ким змінено (ім'я): (admin) Адміністратор НДЧ
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  176
Рік видання:  2011
Звітний рік:  2011
Видання:  Український фізичний журнал
Том:  56
Номери сторінок:  940.0000
Автори,співробітники Університету:  Вакуленко Олег Васильович /  / Кондратенко Сергій Вікторович /  /  / 
Кафедра / Відділ:  Оптики
№ теми: 
Інститут/Факультет:  Фізичний факультет

Повернення до списку

Вгору