Наукові публікації університету

Low-Frequency Noise in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Irradiated by gamma-Ray Quanta


ID: 93219
Кількість показів: 76
дата змінення: 27.05.2015 11:59:46
Ким змінено (ім'я): (rff1) Тетяна Вакула
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  4
Рік видання:  2002
Звітний рік:  2002
Видання:  Physica Status Solidi C
Номери сторінок:  78-81
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:   /  /  /  /  /  /  /  / Петричук Михайло Васильович
Кафедра / Відділ:  Електрофізики
№ теми: 
Ключові слова:  Low-Frequency Noise in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Irradiated by gamma-Ray Quanta
Інститут/Факультет:  Факультет радіофізики, електроніки та комп'ютерних систем

Повернення до списку

Вгору