Наукові публікації університету

Low-frequency noise in AlGaN/GaN HEMT structures with AlN thin film layer


ID: 93299
Кількість показів: 66
дата змінення: 28.05.2015 12:35:33
Ким змінено (ім'я): (rff1) Тетяна Вакула
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Наукова стаття
Кількість сторінок:  4
Рік видання:  2006
Звітний рік:  2006
Видання:  Physica Status Solidi C
Том:  3
Номери сторінок:  2329–2332
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:   /  /  /  /  / Петричук Михайло Васильович
Кафедра / Відділ:  Електрофізики
№ теми: 
Ключові слова:  Low-frequency noise in AlGaN/GaN HEMT structures with AlN thin film layer
Інститут/Факультет:  Факультет радіофізики, електроніки та комп'ютерних систем

Повернення до списку

Вгору