Наукові публікації університету

Inelastic properties and defect nanostructure of GeSi and SiO2


ID: 95504
Кількість показів: 61
дата змінення: 14.10.2014 10:44:34
Ким змінено (ім'я): (admin) Адміністратор НДЧ
Вид роботи:  Наукова публікація
Тип роботи:  Праці конференції
Кількість сторінок:  2
Рік видання:  2012
Звітний рік:  2013
Том:  1
Номери сторінок:  89.0000
Галузь науки:  Фізика
Автори,співробітники Університету:  Онанко Анатолій Петрович /  / Розуван Станіслав Геннадійович
Кафедра / Відділ:  Фізики функціональних матеріалів
№ теми: 
Інститут/Факультет:  Фізичний факультет

Повернення до списку

Вгору